近日，投资银行杰富瑞（Jefferies）在最新存储行业研报中指出，全球存储芯片价格仍将进一步上涨，2026年下半年涨幅可能继续高于市场原有预期。

报告援引其与存储顾问进行的会议内容称，2026年第三季度，存储芯片价格或环比上涨40%至50%，高于此前市场预计上涨15%至20%之间的预期；第四季度，存储芯片价格仍可能继续环比上涨30%至40%；到2027年，存储价格同比涨幅仍可能维持在40%至45%。

AI仍是本轮存储涨价的核心变量。市场调研机构集邦咨询于3月的报告中指出，随着大型模型训练、推理以及AI服务器部署持续扩大，带动高带宽内存（HBM）、服务器DRAM和企业级SSD需求快速增长，DRAM供应商正将产能重新分配给HBM和服务器应用，使传统DRAM合约价继续环比上涨58%至63%。

集邦咨询指出，由于服务器DRAM内存盈利能力更强，供应商正优先供应服务器DRAM内存条，并与主要客户谈判长期协议(LTA)，以支持未来的容量扩张。杰富瑞表示，目前云服务器厂商通过LTA锁定了约50%的存储产能，未来这一比例可能进一步升至70%。

相比之下，杰富瑞称，没有任何手机、PC、游戏机、安防设备等消费电子厂商能向存储供应商签署任何长期协议，DRAM和NAND供应进一步收紧，成本压力将进一步向终端产品传导。

在供给侧，产能不足问题短期内仍难以改善。杰富瑞预计，若不计入国产厂商影响，2026年全球存储bit供给增长仅为7%至8%，主要来自制程节点迁移，而非新增晶圆产能释放。DRAM与NAND合计可能出现约15万至20万片/月的供给缺口。

杰富瑞预计，存储价格真正出现明显缓和可能要等到2028年。届时新增晶圆产能逐步释放，国内厂商加入，全球供给可能增加15%至20%，若AI需求同步放缓，存储芯片平均售价才可能出现回落。但存储芯片龙头企业美光科技在2026第三财季财报中表示，即使行业供应可能在2028年逐步改善，目前仍难以判断存储供给何时能够追上持续增长的需求。

因此，国内存储芯片厂商长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）近年来持续扩大产能，引发市场关注。杰富瑞的专家预计，国内存储厂商将使DRAM和NAND产能每年各增长7万至8万片/月。但杰富瑞认为，短期内（2026年-2027年），我国扩产的影响更多集中在低端、国内或部分成熟产品市场。杰富瑞指出，长鑫存储在高端服务器DRAM、DDR6、HBM等产品的追赶仍需要时间。

不过，预计到2028年，国内厂商的中长期影响将显现。SemiAnalysis的数据显示，长鑫存储在全球DRAM供应中的占比有望从2025年的约11%提升至2028年的约17%，并可能逐步增加HBM相关投入。而在NAND领域，随着长江存储在堆叠层数等方面持续推进，后续产若能释放顺利，将满足海外市场的需求。杰富瑞预计2028年以后国产NAND厂商将实现追赶，在全球市场中开展竞争。

更重要的是，AI正在改变存储芯片的行业逻辑。据NDTVProfit报道，过去DRAM和NAND被视为高度周期性的行业，价格常随扩产和供需变化波动；但随着AI需求激增，HBM、服务器DRAM和高容量存储成为数据中心建设的关键资源，云服务商通过长期协议提前锁定产能，存储厂商也更倾向于优先保证盈利能力，而不是通过扩产抢占市场份额。