快科技7月11日消息，长鑫存储正在HBM赛道加速追赶国际巨头。目前该公司已推出HBM3样件，向华为等国内AI芯片厂商供货，正处于量产前的验证环节。

同时规划2027年实现12层HBM3E的量产。如果该计划顺利落地，长鑫存储与三星电子、SK海力士、美光三家头部存储厂商的技术差距将缩短至2到3年。

长鑫存储在HBM3架构标准上已追平三星和SK海力士，中韩两国在HBM领域的差距从此前的多代落后缩至仅3年。

行业消息人士透露，长鑫在技术上已具备HBM3量产能力，虽然良率仍是制约因素，但技术层面已不存在代差。此前长鑫采用跨代技术路径，从DDR4直接进入HBM3开发，大幅缩短了追赶时间。

产能扩张同步推进。长鑫存储在合肥运营两座12英寸DRAM工厂，北京一座，总晶圆产能约为每月30万片。上海新工厂计划从2027年起正式投产，投产后整体产能将达到现有水平的两倍以上。

长鑫将DRAM总产能的约20%投入HBM制造，月产能可达6万片晶圆。

市场份额持续攀升。据CFM闪存市场数据显示，2026年第一季度长鑫存储DRAM销售收入达73.09亿美元，环比增长115.1%，市场份额升至7.7%，排名全球第四。