联电将不再局限于传统晶圆代工，也将跨足先进封装等高附加价值领域。

据报道，晶圆代工大厂联电（UMC）正考虑在南科收购瀚宇彩晶厂房，以推动其先进封装技术的发展。尽管联电对市场传言未作直接回应，但公司高层表示，未来在中国台湾地区的产能规划将继续扩展，尤其是在先进封装领域。

目前，联电在新加坡已建立2.5D封装产能，并具备晶圆对晶圆键合（Wafer-to-Wafer Bonding）技术，这项技术在3D IC制造中至关重要。此外，联电在南科运营的Fab 12A厂自2002年开始量产，现已导入14nm制程，专注于高阶定制化制造。联电未来将依据业务发展与整体策略，搭配既有的晶圆对晶圆键合（Wafer to Wafer Bonding）技术，持续在中国台湾推进更完整的先进封装解决方案。

至于是否有意购置该厂，联电财务长刘启东回应，对市场传闻无法回应，但强调，公司会持续寻找对营运与获利具正面助益的机会，包括厂房设定、技术合作与新投资案。中国台湾始终是联电扩产的重要选项。

针对未来扩产方向，刘启东指出，联电将不再局限于传统晶圆代工，也将跨足先进封装等高附加价值领域。目前公司在新加坡已建置2.5D封装制程，并具备晶圆对晶圆键合（Wafer to Wafer Bonding）技术，这是一项可在原子级层面进行晶圆堆叠的关键工艺，广泛应用于3D IC制造。联电在中国台湾的产线，也已具备该制程能力。

刘启东强调，联电未来将持续发展整套的先进封装解决方案，而非单纯制程投入，将晶圆代工与封装整合，朝向完整服务体系迈进。

展望未来，联电计划在技术布局上继续与英特尔合作，专注于12nm制程，并积极探索化合物半导体及其他新型材料的应用，以增强其产品线的竞争力。尽管目前硅中介层的月产量约为6,000片，联电表示未来将不再扩产，而是将重心转向更高附加价值的整合型技术。

联电12nm预计2027年量产

5月28日，晶圆代工大厂联电举行年度股东大会，联电首席财务官刘启东指出，与处理器大厂英特尔合作的12nm节点制程，为联电最重要的发展计划之一，预计量产的时间点将会落在2027年。而双方也会采取分工的模式，由英特尔负责当地制造，联电则负责制程开发、销售与服务流程技术。

2024年初，联电与英特尔宣布合作开发12nm制程平台，旨在应对移动通信和网络基础设施市场的快速增长。彼时，联电表示，联电与英特尔将采取分工合作的模式，英特尔负责当地制造，而联电则专注于制程开发、销售及服务流程技术。

联电与英特尔合作开发的12nm FinFET制程技术平台进展顺利，预计2026年完成制程开发并通过验证。同时，联电还公布了封装领域进展，晶圆级混合键合技术、3D IC异质整合等技术已成功开发，未来将全面支持边缘及云端AI应用。

对于上述计划的最新进展，刘启东指出，联电目前几乎将所有重要的研发资源都投注在这个12nm的计划上，包括动员内部主要研发与制造资源，以及投入相关制程与设备转换作业。英特尔方面不只是计划的合作伙伴，也是核心客户，在取得预留产能的同时，正处于设计导入阶段。接下来在设计套件（PDK）完成后，将陆续展开第二、三波的扩展。

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