1、英特尔玻璃基板应用规划

·产品落地进度：当前英特尔玻璃基板量产准备工作充分，2026年下半年将转入小批量试产，后续将搭载明年初推出的CPU产品正式面市。玻璃基板优先应用于服务器CPU而非GPU，核心原因是公司产品线中对高传输、先进封装需求最高的是服务器CPU，其次是普通PC端CPU，而GPU业务已基本放弃，因此将玻璃基板优先配置在核心的服务器CPU产品线，提升资源使用效率。

·技术优先级规划：英特尔内部对玻璃基板的战略优先级低于Forest、In-B等先进封装技术，暂无全量替换服务器CPU基板的明确时间表，仅将其作为先进封装的补充选项。从供应链成本角度出发，新技术、新材料的推广需要经历试验期、观察期、等待期以及产品打磨阶段，无法快速全面铺开，因此公司对玻璃基板的落地采取走一步看一步的推进思路，核心资源优先向先进封装技术倾斜，仅在部分先进封装无法覆盖、玻璃基板特性性价比更高的场景下才会应用该技术。

·样品进展说明：2026年初英特尔推出的玻璃基板相关样品为处理器基板样品，并非可正常点亮的CPU成品，仅为基板版本，不具备处理器运行功能。该款玻璃基板样品预计明年初将正式搭载在CPU产品上面市，届时市场将可看到玻璃基板的实际应用落地。

2、英特尔玻璃基板产业链布局

·生产基地布局：玻璃基板精加工当前在亚利桑那州Chandler基地小规模开展，未来将转移至新墨西哥州基地，两地承担玻璃基精加工环节，完成打孔、镀铜、RDL层加工后，产出的GlassCoreSubstrate交付下游基板厂商进一步加工。印度规划建设玻璃芯（glasscoreforsubstrate）生产基地，规划业务内容与新墨西哥州基地一致，涵盖玻璃芯相关加工环节。

·核心供应商情况：玻璃基板全产业链各环节合作主体边界清晰：a.玻璃原片供应环节由美国、德国、日本供应商分任第一、第二、第三供应商；b.下游基板加工环节合作厂商包括EPS、ATS等，厂商拿到GlassCoreSubstrate后，会在其表面叠加多层ABF层与铜层，切割后产出成品基板；c.封测环节核心合作伙伴为安靠，仅提供封装测试服务，作为英特尔自有封测工厂的补充，用于提升供应保障能力、引入内部竞争，不参与任何基板或玻璃芯生产环节。

·印度项目说明：英特尔在印度布局生产基地的核心动因是获取当地政府政策补贴，并非看中印度本土供应链配套能力、高素质工人等本地资源。英特尔全球所有生产工厂均遵循copy-exactly统一生产标准，核心生产设备、原材料均来源于欧美日地区，本质是美国工厂在海外的延伸，生产环节不依赖印度当地供应链。从过往建厂经验来看，工厂长期运营后会产生技术、人才、供应链溢出效应，逐步带动当地配套供应链发展。

·国内供应链合作：英特尔目前对直接采购中国大陆注册公司的产品态度较为谨慎，暂未直接采购过中国大陆厂商的产品，国内厂商多以Tier2、Tier3供应商的身份，通过为欧美Tier1供应商提供零件、原材料等方式间接进入英特尔供应链。近年受地缘政治、能源等因素影响，日本Tier2、Tier3供应商供应不稳定，欧美Tier1厂商转向采购中国厂商产品的情况有所增多。受地缘政治风险约束，英特尔当前在玻璃基板相关的Tier1供应商层面，暂未与国内厂商开展合作。

3、玻璃基板良率与技术瓶颈

·当前良率水平：当前玻璃基板的量产良率约60%，即将启动的量产为打样性质，初期产量少、成本较高，仅为给市场做示范，不会在短期内实现爆发性增长。良率爬坡是长期逐步推进的过程，后续会将Chandler工厂产能逐步转移至新墨西哥州，明后年新墨西哥州工厂投产后，产量、成本、良率表现将逐步优化。

·核心技术瓶颈：玻璃基板量产的核心技术瓶颈主要分为两大环节：a.高密打孔环节：采用0.7-0.8毫米硼硅玻璃为原材料，打孔工艺为激光加浸润结合的方式，目前单孔或少量打孔的隐裂问题已基本解决，技术相对成熟，但服务器CPU用玻璃基板对打孔密度、孔线密度要求极高，单块基板需要打数百个孔，微小瑕疵就会导致产品不良；b.镀铜环节：玻璃材质坚硬光滑，打孔后需要在孔内镀铜实现导电功能，铜与硼硅玻璃相容性差，一方面镀铜过程中易产生孔洞，后期上电或施加应力后孔洞会放大造成断路，另一方面铜延展性较强，易出现无控制渗透问题导致短路，是影响良率的更核心问题。

·技术优化思路：玻璃基板的技术瓶颈原理清晰，核心优化路径为反复调试各项工艺参数积累工艺know-how，需调试的参数涵盖打孔工序的激光功率、光波波长、时序脉冲、蚀刻方式、蚀刻材料选择、蚀刻材料流速等，通过大量试验摸索出最优工艺方案。半导体生产需严格遵循copy-exactly标准，确保全球所有工厂的环境、设备参数完全一致，包括铜管道、水冷管道直径等细节都要保持统一，避免因环境、参数差异导致良率波动。

4、玻璃基板设备与原片技术

·核心设备供应情况：玻璃基板加工各环节设备供应情况清晰：a.打孔环节首发打孔设备采用德国激光头，国产激光头试验阶段可正常使用但暂不纳入首发量产供应体系；b.镀铜、沉积、蚀刻等工序可直接沿用现有半导体Fab的成熟设备，当前在用设备以美日厂商供应为主，仅同时具备中、美双重资质的厂商可进入供应清单；c.LDI设备属于激光打孔环节的配套辅助设备，承担成像、掩模制作、对焦对准功能，技术难度较低，价值占比远低于电镀、激光设备，不属于产业链核心主力设备。

·国产设备进展：国产激光设备当前应用与未来前景明确：试验阶段国产激光设备打孔效果与海外设备差异较小，可满足小批量试验需求，但量产阶段24小时连续运行的稳定性、百万小时故障率等核心可靠性指标尚未经过规模化验证。未来国内玻璃基板厂商出于供应链安全考量，大概率优先采购国产设备，国产设备在国内市场具备放量基础，但出海拓展除需满足质量、性能要求外，还会受到地缘政治因素影响。

·原片技术差距：国内外玻璃原片技术存在明确差距：当前全球最高水平的玻璃原片由康宁供应，可实现最高9层的内部结构加工，适配高端场景需求。国产玻璃原片技术较海外领先水平落后1-3年，核心短板集中在两方面：一是玻璃本身的纯净度、均匀性不足，易导致打孔、蚀刻工序加工效果不均，影响最终产品良率；二是精加工工艺存在短板，无法满足高端多层结构玻璃原片的生产要求，目前仅能覆盖中低端、大批量的普通应用场景。

·玻璃基板结构说明：玻璃基板的多层结构为单片玻璃内部加工形成的物理结构，而非多层薄玻璃叠合而成，其层级概念与ABF载板的层结构存在本质区别，不同层级可分别布设对应线路，适配英特尔GlassCore、台积电CoWoS等不同技术路线的应用需求。

5、玻璃基板技术路线对比

·台积电技术路线：近年台积电明显加速玻璃基板方向研发，其技术路线聚焦玻璃中介层（interposer），属于先进封装范畴的补强方案，替代此前行业流行的硅中介层，定位是对现有基板覆盖方案的补充，核心以做中介层为主要思路，与直接研发基板产品的路线存在明确差异。

·英特尔技术路线：英特尔技术路线聚焦GlassCoreSubstrate（玻璃芯基板），玻璃芯位于基板的中间层，上下各布置10层ABF层。相比传统服务器用ABF基板普遍需要的28-32层结构，该方案可减少约10层ABF层，通信相关功能交由玻璃基材料实现。该玻璃芯基板仅内部核心替换为玻璃材质，上下仍然采用ABF层，外观与传统ABF基板完全一致。

·两类路线差异：两类技术路线的定位与层级存在本质区别，英特尔路线面向基板层级，研发的是更底层的基板产品；台积电路线面向先进封装中介层层级，属于先进封装的补强方案，二者的应用场景与产品定位完全不同。

6、玻璃基板应用前景与替代材料

·长期应用前景：玻璃基板的核心技术优势在于天生兼容光信号，光通信传输以波的形式运行，传统CPU内部传输为电粒子信号，现有光互联方案需经过两次光电转换才能实现跨设备传输，且当前CPU间信号传(各行业公司调研纪要星球：73292698）输需经过substrate主板环节，过程中信号损失较高。未来若在substrate上直接集成光波导，可直接通过光纤或专用线路实现CPU间的光信号传输，无需经过后续PCB主板环节，将大幅减少信号损耗，长期应用空间广阔。当前产业端落地节奏尚不明朗，英特尔硅光子事业部已出售，仅保留小规模预研团队，在光互联领域影响力有限，暂无玻璃基CPU光互联应用的明确落地时间表。目前英特尔优先聚焦玻璃基电信号相关技术的打磨，做好打孔、镀铜、电信号传输等基础工作，待后续与业界厂商达成合作后再导入光互联相关功能，当前阶段谈大规模商业化落地仍为时尚早。

·替代材料对比：封装材料赛道中，陶瓷基板与玻璃基板的应用场景存在明确差异，陶瓷基板仅适用于航太等耐高温特殊场景，目前仅作为CPU、IC器件的封装外壳使用，无法作为信号传导材料。现有加工工艺下，陶瓷基板用于先进封装的大规模量产可行性较低，暂未出现成熟的落地解法，商业化推广难度较高。其他潜在封装材料方向中，氮化硅、砷化镓等PCB相关材料适配高功率算力芯片封装需求的成熟度更高，相关技术路径相对可靠、耐用，可匹配当前算力IC功率要求持续提升的产业趋势，是更具发展潜力的细分赛道。

7、玻璃基板成本与产业链分工

·基础产品参数：玻璃原片的厚度约800微米，主要从康宁等海外厂商采购，企业采购原片后会在此基础上开展后续精加工工序，当前原片相关参数为精加工环节明确了基础原料标准。

·产业链分工规划：玻璃基板精加工环节初期由新墨西哥州的自有工厂承担，新墨西哥地区的设施条件能够满足先进封装的环境要求。待后续产品量产规模提升后，或将精加工环节外包给联电等产业链合作伙伴，目前暂无收购相关厂商的计划。当前企业在陈总上任后推动开放IDM模式，鼓励充分利用产业界资源、借鉴产业链经验教训，避免闭门造车，后续将持续向更开放的IDM模式方向发展。

·ABF膜用量变化：玻璃芯方案与传统ABF基板的ABF膜用量存在明显差异：传统服务器ABF基板的层数为28-34层，而采用玻璃芯（glasscore）的方案结构为上下各10层ABF膜加中间玻璃芯，可减少10-12层ABF膜的用量，整体ABF膜用量较传统方案有所下降。

·成本预期：传统ABF基板的单颗成本为50-60美元，玻璃基板的成本预期在120美元以内具备可接受性，若成本超出120美元则接受度较低。成本定价需要与玻璃基板带来的性能提升相匹配，核心需验证的性能指标包括信号传输效率提升效果、是否适配高功率高发热的应用场景、是否具备更低的失效率、更优的平整度与散热性等，相关性能表现需要后续的运行数据支撑，只有性能达标时对应的成本区间才具备合理性。

·产品尺寸参数：当前所讨论的服务器CPU基板尺寸为6.8*7.8厘米，折合面积约为0.005平米，该尺寸参数可为后续玻璃基板的成本测算、工艺适配等工作提供基础参考依据。

Q&A

Q:英特尔在玻璃基板技术方面的当前推进进度如何？

A:英特尔预计于明年年初在服务器CPU产品上实现玻璃基板的小批量应用，目前量产准备工作已较为充分，计划于下半年转入小批量试产阶段，并随明年推出的CPU产品上市。选择在服务器CPU上率先应用是由于该产品线对高传输速率和先进封装需求最为迫切，而GPU业务已基本放弃，资源集中于核心产品线。

Q:英特尔未来在CPU产品中应用玻璃基板是否有明确的级别分类或全面转换时间表？

A:英特尔内部并无明确的全面转换时间表或产品级别分类规划。玻璃基板仅为先进封装的可选方案之一，战略优先级低于Forest和In-body等封装技术。公司采取渐进策略，根据成本可行性、供应链成熟度及具体产品需求动态评估，重点资源投入优先级更高的封装方案，玻璃基板仅在特定场景采用。

Q:英特尔对玻璃基板在内部产品中的用量预期及未来占比是否有明确规划？

A:目前尚无明确的用量预期或占比规划。玻璃基板在英特尔内部的战略优先级低于Forest和In-body等先进封装技术，因此不会激进推广。其应用将取决于具体产品的技术需求、成本效益及供应链成熟度，作为先进封装的补充方案。

Q:今年年初英特尔推出的玻璃基板相关样品具体是指处理器样品还是基板样品？

A:该样品为基板样品，并非可正常工作的CPU处理器样品，仅为展示玻璃芯基板物理结构的substrate样品，不具备点亮功能。

Q:英特尔玻璃基板的供应链生态链构成如何？包括材料来源、加工地点及下游合作方？

A:玻璃材料由美国、德国、日本供应商作为一、二、三供提供；精加工环节目前在美国亚利桑那州Chandler进行，后续将转移至新墨西哥州工厂；加工完成后，GlassCoreSubstrate交由下游substrate厂商进行ABF层与铜层制作及切割。安靠作为封测合作伙伴，仅参与后端封测环节，不涉及基板或玻璃芯制造。印度计划建设合作伙伴工厂负责glasscoreforsubstrate加工，但专家对技术可行性持保留态度。

Q:在美国工厂进行的玻璃基板精加工具体包含哪些核心工艺环节？

A:精加工环节主要包括激光打孔、垂直镀铜及RDL制作，完成后送至substrate厂商进行后续ABF层集成与切割。

Q:英特尔在印度的玻璃基板项目定位、技术挑战及战略动因是什么？

A:印度项目计划承担与新墨西哥州类似的glasscoreforsubstrate加工任务，但技术挑战较大，专家对独立实施持保留态度，认为需与美国工厂形成前后道协作才可能成功。英特尔在印度建厂主要受当地政策补贴驱动，遵循copy-exactly原则，设备与原材料仍主要来自欧美日，本地供应链参与度低；建厂逻辑与历史在华、越、德等地项目一致，核心考量为政策支持而非当地产业基础。

Q:英特尔是否与中国大陆产业链在玻璃基板领域存在直接或间接合作？

A:英特尔对直接采购中国大陆注册公司产品持谨慎态度，几乎无TierOne层面的直接合作。但通过TierTwo/TierThree供应链间接使用中国产零部件的情况存在，例如欧美日TierOne供应商采购中国产原材料或初加工件进行组装后供应英特尔。在地缘政治风险考量下，直接引入中资品牌可能性较低，但间接供应链渗透属行业常态。

Q:当前玻璃基板的良率水平如何？是否满足明年小批量应用要求？

A:当前玻璃基板良率约60%，处于行业初期水平。明年应用属试验性小批量导入，旨在验证工艺可行性并积累数据；后续将通过产能转移至新墨西哥州工厂优化成本与良率，但短期内不会出现爆发式增长，需经历持续工艺打磨与验证周期。

Q:影响玻璃基板良率的关键工艺环节及技术难点是什么？

A:主要瓶颈集中于打孔与镀铜环节：打孔环节因玻璃材质特性易产生隐裂，需采用激光加浸润复合工艺优化；镀铜环节因铜与硼硅玻璃结合性差，易出现孔洞、断路或无控渗透导致短路。孔密度高进一步放大工艺波动影响，需精细调控激光参数、蚀刻方式及镀铜工艺窗口。

Q:针对良率问题，英特尔内部采取哪些工程优化策略？

A:通过系统性工艺实验优化关键参数，形成稳定工艺菜单。同时严格执行copy-exactly原则，确保全球工厂环境高度一致，以减少地域差异对工艺稳定性的影响，属于典型的半导体制造Know-how积累过程。

Q:玻璃基板打孔与镀铜环节的主要设备供应商构成及选型逻辑是什么？

A:打孔设备首选德国激光供应商，镀铜、PVD、抛光等环节采用与Oregon、Fab12等晶圆厂一致的美日设备体系。Chandler工厂设备较老旧，新墨西哥州工厂为正规Fab，设备标准化程度高。国产激光设备在试验阶段可用，但大规模量产对稳定性、故障率要求高，暂未验证；设备选型核心考量为长期运行可靠性与供应链安全。

Q:LDI设备在玻璃基板加工中的技术定位与价值占比如何？

A:LDI设备主要用于掩模对准与成像环节，属于辅助性设备，技术难度与价值占比显著低于激光打孔与电镀核心设备，在玻璃基板产业链中不构成关键瓶颈。

Q:国产激光设备与国际设备的技术差距及未来应用前景如何？

A:国产设备在试验阶段参数表现接近，但大规模量产所需的长期稳定性、故障率数据尚未验证。在国内玻璃基板厂商中可能因供应链安全与政策导向获得应用机会，但出海及进入国际先进半导体供应链仍受技术可靠性与地缘政治因素制约。

Q:中国大陆玻璃原片厂商与康宁、肖特等国际厂商的技术差距及瓶颈环节是什么？

A:国产原片在玻璃纯净度、厚度均匀性及多层结构精加工能力上落后国际领先水平约1-2年，难以实现康宁水平的7-9层内部线路结构。瓶颈源于材料本征特性与加工工艺协同不足，导致蚀刻/打孔均匀性差；国产设备在量大管饱场景具成本优势，但高可靠性、高精度深加工领域仍有显著差距。

Q:玻璃基板的多层线路结构是通过单片掏空还是多层玻璃叠合实现？

A:采用单片玻璃通过精加工形成内部多层线路结构，并非多层玻璃叠合。该结构在物理层面实现信号层分布，与ABF载板的层概念不同，但外观与传统ABFsubstrate一致。

Q:台积电CoWoS方案与英特尔GlassCore方案的核心差异是什么？

A:台积电CoWoS以玻璃interposer为核心，属于先进封装的补充方案；英特尔GlassCore方案聚焦于制作完整的substrate，替代传统ABFsubstrate中间层，属于更底层的封装载体革新。两者技术路径与应用场景存在本质区别。

Q:英特尔GlassCoresubstrate的具体结构及在CPU封装中的位置如何？

A:GlassCoresubstrate外观与传统ABFsubstrate一致，结构为中间0.8毫米玻璃芯层，上下各集成约10层ABF膜，替代了传统substrate中约10-12层ABF，整体层数由28-34层减至约20层。该结构位于CPU封装底层，作为芯片与主板间的电气连接载体。

Q:玻璃基板在CPU光互联及6G通信领域的应用前景与英特尔当前布局如何？

A:玻璃材质天然适配光(各行业公司调研纪要星球：73292698）波导集成，可实现CPU间光信号直连，减少主板级信号损耗，英特尔曾在2022-2023年展示相关demo。但因硅光子事业部已出售，当前仅保留预研团队，无明确时间表；6G通信领域英特尔已剥离相关业务，聚焦CPU及芯片主业，光互联属远期技术方向，现阶段核心目标为优化电信号传输性能。

Q:陶瓷基板与玻璃基板在先进封装中的技术对比与适用场景如何？

A:陶瓷材料目前主要用于高耐热封装外壳，在信号传输类先进封装中应用有限，现有技术条件下难以实现可靠的大规模集成。相比之下，玻璃基板在信号完整性、平整度及光兼容性方面更具潜力；氮化硅、砷化镓等材料在高功率IC封装中可能更具成熟度与可靠性。

Q:未来玻璃基板精加工环节是否会由英特尔自主完成或外包？

A:初期精加工在新墨西哥州工厂自主完成，以匹配先进封装对洁净度与工艺控制的要求；若未来需求放量，可能引入联电等合作伙伴，但暂无明确外包计划。英特尔倾向采用开放IDM模式，平衡内部产能与产业链协作，避免垂直整合导致的效率损失。

Q:玻璃基板substrate的预期成本水平及与传统ABFsubstrate的对比如何？

A:传统ABFsubstrate成本约50-60美元/片，玻璃基板方案预期成本约翻倍至120美元左右。成本提升需由性能增益验证其合理性；当前核心挑战在于工艺成熟度与良率提升，成本优化依赖新墨西哥州工厂规模化生产后的工艺收敛。

Q:采用GlassCore方案后，CPUsubstrate的物理尺寸是多少？

A:当前讨论的服务器CPUsubstrate尺寸为6.8厘米×7.8厘米。