12月8日消息，据韩国媒体ZDNet Korea 报导，存储芯片大厂SK海力士已经修改HBM4生产计划，原本2026年2月量产HBM4、明年二季度扩大产量的计划，已经推迟到了2026年3~4月量产，扩大生产的时间点则推迟到了明年第三季。因此，HBM4 量产所需材料和零组件供应速度也放缓。

报道援引消息人士说法称，SK 海力士原定2026 上半年逐步提升HBM4产能，第二季末提高整体HBM 比重。但现决定至少在2026 上半年，前代HBM3E 生产比重仍维持最高。产能调整的原因，被认为与英伟达策略调整和市场需求变化密切相关。

消息人士透露，SK 海力士与英伟达讨论2026 年HBM 供货时，发现英伟达HBM3E 采购量大幅增加，反映几个关键信息：

1、英伟达Rubin 芯片可能延后发布： HBM4 是为英伟达预计在2026 年推出的新一代AI芯片Rubin 所准备的。业界普遍担忧，Rubin 晶片量产时间可能延期。

2、HBM3E 需求强劲：搭载HBM3E 的Blackwell GPU需求依然强劲。为满足当前市场对HBM3E 的稳健需求，SK 海力士选择优先确保HBM3E 供应。

英伟达Rubin芯片量产时间可能延期原因，一方面是因Rubin 芯片追求性能提升导致所需配套的 HBM4 等技术难度变高：HBM4 的输入/输出（I/O）端口数量扩大至2,048 个，这是前一代产品的两倍，意味着数据传输通道更加宽广；用于控制HBM 的逻辑芯粒将不再采用传统的DRAM 制程，而是改用台积电的晶圆代工制程来进行生产。另外台积电2.5D 先进封装CoWoS 也面临产能瓶颈。

SK 海力士回应称，虽然无法确认经营策略相关细节，但计划根据市场需求，采取灵活应对措施。

编辑：芯智讯-浪客剑