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上海新阳申请锗硅刻蚀液相关专利,该刻蚀液可选择性刻蚀GAA中锗硅牺牲层

7月29日消息,国家知识产权局信息显示,上海新阳半导体材料股份有限公司申请一项名为“一种锗硅刻蚀液的应用”的专利。申请公布号为CN122465595A,申请号为CN202610511631.2,申请公布日期为2026年7月28日,申请日期为2026年4月17日,发明人王溯、马丽、邢诗惠、韩强,专利代理机构上海弼兴律师事务所,专利代理师陈卓,分类号C09K13/08、H10P50/64。

专利摘要显示,本发明提供了一种锗硅刻蚀液的应用。具体地,本发明公开了一种锗硅刻蚀液在选择性刻蚀GAAMOSFET结构中牺牲层中的应用,所述锗硅刻蚀液由如下原料各组分混合制得,所述原料包括如下质量分数的组分:0.1%‑5%的氟化物、5%‑70%的氧化剂、0.1%‑2%抑制剂、0.5%‑5%缓冲组分和溶剂;溶剂补足余量;所述的锗硅刻蚀液能够选择性减慢对GAAMOSFET结构中硅和氧化硅的刻蚀速率,选择性对硅‑锗合金进行刻蚀。

上海新阳是国内领先的电子化学品核心供应商,主营半导体关键材料,拥有深厚技术壁垒与全产业链配套优势。公司成立于2004年5月12日,2011年6月29日于深圳证券交易所上市,注册及办公地址均位于上海市。

上海新阳主营业务分为两大板块,一是集成电路制造及先进封装用关键工艺材料及配套设备的研产销服,为客户提供整体化解决方案;二是环保型、功能性涂料的研产销及相关服务,提供专业整体涂装解决方案。公司所属申万行业为电子-电子化学品Ⅱ-电子化学品Ⅲ,同时覆盖集成电路、半导体设备、中芯国际概念等热门赛道。

2025年上海新阳实现营业收入19.37亿元,在36家同行业企业中排名第14位,略高于19.33亿元的行业平均水平,超出15.26亿元的行业中位数,行业内营收排名前两位的企业分别为西陇科学(73.31亿元)、国瓷材料(45.83亿元)。从业务结构来看,集成电路材料贡献营收14.79亿元,占比76.35%;涂料品营收4.2亿元,占比21.68%;集成电路材料配套设备及配件营收3424.54万元,占比1.77%;其他业务营收400.22万元,占比0.21%。盈利端,公司2025年实现净利润3.01亿元,在36家同行业企业中位列第9,大幅高于1.8亿元的行业平均数与1.25亿元的行业中位数,行业内净利润排名前两位的企业分别为鼎龙股份(7.96亿元)、安集科技(7.84亿元)。

指标类型具体指标上海新阳2025年数据行业排名/总家数行业头部企业数据行业平均水平行业中位数
营收类营业收入19.37亿元14/36西陇科学73.31亿元、国瓷材料45.83亿元19.33亿元15.26亿元
利润类净利润3.01亿元9/36鼎龙股份7.96亿元、安集科技7.84亿元1.8亿元1.25亿元

上海新阳半导体材料股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种锗硅刻蚀液的制备方法发明专利公布CN202610511622.32026-04-17CN122405275A2026-07-17王溯、蒋闯、田亚辉、冯强强
2一种锗硅刻蚀液发明专利公布CN202610511627.62026-04-17CN122465594A2026-07-28王溯、孙红旗、臧焱、陈亮
3一种锗硅刻蚀液的应用发明专利公布CN202610511631.22026-04-17CN122465595A2026-07-28王溯、马丽、邢诗惠、韩强
4抗蚀剂下层膜、原料组合物、制备方法和图案形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610464093.62026-04-09CN122362741A2026-07-10王溯、徐森、孙友松、赵启新
5一种锗硅刻蚀液发明专利公布CN202512015631.12025-12-30CN121759220A2026-03-31王溯、马丽、邢诗惠、翟俊杰
6一种高选择比锗硅刻蚀液发明专利公布CN202512015622.22025-12-30CN121759218A2026-03-31王溯、邢诗惠、叶似剑、王婷婷
7一种高选择比锗硅刻蚀液的制备发明专利公布CN202512015624.12025-12-30CN121759219A2026-03-31王溯、演嘉辉、田亚辉、李慧
8一种锗硅刻蚀液的制备发明专利公布CN202512015627.52025-12-30CN121825552A2026-04-10王溯、邢诗惠、马伟、代旭
9一种锗硅刻蚀液的应用发明专利公布CN202512015626.02025-12-30CN121825551A2026-04-10王溯、演嘉辉、和晓敏、张怡
10一种高选择比锗硅刻蚀液的应用发明专利公布CN202512015620.32025-12-30CN121825550A2026-04-10王溯、邢诗惠、李志强、肖富蓉
11一种硫代二乙酸的提纯方法发明专利公布CN202511026178.82025-07-24CN120887820A2025-11-04王溯、李志强、孙红旗、张怡
12一种引线框架磁性吸盘实用新型授权CN202422539208.22024-10-21CN223339461U2025-09-16韩烨、朱登峰、李蒙、李祝青
13盖板机构、晶圆清洗装置及晶圆封装设备发明专利公布CN202411138781.02024-08-19CN118768290A2024-10-15王振荣、刘红兵
14晶圆清洗媒介的循环装置、循环方法及晶圆封装设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411138823.02024-08-19CN118800693A2024-10-18王振荣、刘红兵
15晶圆清洗装置及晶圆封装设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411138804.82024-08-19CN118800692A2024-10-18王振荣、刘红兵
16行车搬运装置及晶圆封装设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411138851.22024-08-19CN118824920A2024-10-22王振荣、刘红兵
17温度控制装置及晶圆清洗设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411138758.12024-08-19CN118824903A2024-10-22王振荣、刘红兵
18晶圆提篮及晶圆封装设备发明专利公布CN202411138723.82024-08-19CN118841352A2024-10-25王振荣、刘红兵
19提篮分拣装置及晶圆封装设备发明专利公布CN202411138743.52024-08-19CN118841355A2024-10-25王振荣、刘红兵、张红林
20晶圆清洗装置及晶圆封装设备发明专利公布CN202411138834.92024-08-19CN118919452A2024-11-08王振荣、孙红旗、张红林
21晶圆清洗装置及晶圆封装设备实用新型授权CN202422009501.82024-08-19CN223193764U2025-08-05王振荣、刘红兵
22温度控制装置及晶圆清洗设备实用新型授权CN202422009428.42024-08-19CN223193763U2025-08-05王振荣、刘红兵
23晶圆清洗装置及晶圆封装设备实用新型授权CN202422009578.52024-08-19CN223193765U2025-08-05王振荣、孙红旗、张红林
24盖板机构、晶圆清洗装置及晶圆封装设备实用新型授权CN202422009477.82024-08-19CN223185076U2025-08-05王振荣、刘红兵
25行车搬运装置及晶圆封装设备实用新型授权CN202422009590.62024-08-19CN223347754U2025-09-16王振荣、刘红兵
26晶圆清洗媒介的循环装置及晶圆封装设备实用新型授权CN202422009553.52024-08-19CN223347737U2025-09-16王振荣、刘红兵
27提篮分拣装置及晶圆封装设备实用新型授权CN202422016675.72024-08-19CN223347755U2025-09-16王振荣、刘红兵、张红林
28晶圆提篮及晶圆封装设备实用新型授权CN202422016648.X2024-08-19CN223612386U2025-11-28王振荣、刘红兵
29一种ArF光刻用底部抗反射涂层及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410557299.42024-05-07CN120909068A2025-11-07王溯、徐森、耿志月、薛新斌
30一种形成光致抗蚀剂图案的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202410557297.52024-05-07CN120909073A2025-11-07王溯、徐森、耿志月、薛新斌
31一种193nm光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202410557308.X2024-05-07CN120909071A2025-11-07王溯、徐森、耿志月、吕亚娟
32一种193nm光刻用底部抗反射涂层的组合物及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202410557307.52024-05-07CN120909070A2025-11-07王溯、徐森、耿志月、吕亚娟
33一种ArF光刻用三元聚物及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202410557306.02024-05-07CN120904387A2025-11-07王溯、徐森、耿志月、吕亚娟
34一种ArF浸没式光刻胶用聚丙烯酸酯聚合物、其制备方法及应用发明专利实质审查的生效、公布CN202410557304.12024-05-07CN120904385A2025-11-07王溯、徐森、耿志月、毛金丽
35一种193nm光刻用顶层涂层膜、其制备方法及应用发明专利实质审查的生效、公布CN202410557302.22024-05-07CN120909072A2025-11-07王溯、徐森、耿志月、毛金丽
36一种193nm光刻用底部抗反射组合物发明专利实质审查的生效、公布CN202410557300.32024-05-07CN120909069A2025-11-07王溯、徐森、耿志月、薛新斌
37一种ArF光刻用双层树脂膜、其制备方法及应用发明专利实质审查的生效、公布CN202410557303.72024-05-07CN120928651A2025-11-11王溯、徐森、耿志月、毛金丽
38一种锗硅刻蚀液的应用发明专利实质审查的生效、公布CN202311854475.22023-12-29CN120237002A2025-07-01王溯、马丽、邢诗惠、梁业成
39一种锗硅刻蚀液的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311854466.32023-12-29CN120230557A2025-07-01王溯、马丽、邢诗惠、张磊磊、马伟
40一种锗硅刻蚀液发明专利实质审查的生效、公布CN202311854481.82023-12-29CN120230558A2025-07-01王溯、马丽、邢诗惠、肖富蓉
41锗硅刻蚀液的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311847688.22023-12-29CN120230555A2025-07-01王溯、孙红旗、马丽、翟俊杰
42锗硅刻蚀液发明专利实质审查的生效、公布CN202311847687.82023-12-29CN120230554A2025-07-01王溯、孙红旗、马丽、刘金霞、张怡
43锗硅刻蚀液的应用发明专利实质审查的生效、公布CN202311847692.92023-12-29CN120282467A2025-07-08王溯、孙红旗、马丽、于仙仙、王玮
44一种氧化铈抛光液的应用发明专利实质审查的生效、公布CN202311831837.62023-12-28CN120230483A2025-07-01王溯、蒋闯、杨杰、沈学敏
45一种氧化铈抛光液的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311831836.12023-12-28CN120230482A2025-07-01王溯、蒋闯、李泽宇
46一种氧化铈抛光液发明专利实质审查的生效、公布CN202311831834.22023-12-28CN120230481A2025-07-01王溯、蒋闯、史筱超、秦长春
47一种抛光液及其制备和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202311831832.32023-12-28CN120230480A2025-07-01王溯、马丽、杨杰、沈学敏
48一种改性的氧化铈的应用发明专利实质审查的生效、公布CN202311831831.92023-12-28CN120230513A2025-07-01王溯、马丽、史筱超、李泽宇
49一种改性的氧化铈及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311831826.82023-12-28CN120229751A2025-07-01王溯、马丽、史筱超、秦长春
50一种光刻胶顶涂层膜、其制备方法及应用发明专利实质审查的生效、公布CN202311839232.12023-12-28CN120230448A2025-07-01王溯、徐森、吕亚娟、邹琴峰

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